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Infineon Technologies BSZ0904NSI
| Artikelnummer: | BSZ0904NSI |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | BSZ0904NSI Infineon Technologies |
| Datenblätte: |
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Infineon Technologies BSZ0904NSI Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSZ0904NSI.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8-FL Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 30A, 10V Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 37W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal Schottky Diode (Body) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Ta), 18A (Tc) BSZ0904NSI Einzelheiten PDF [English] BSZ0904NSI PDF - EN.pdf -
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